台式電腦通用內存條嗎

1. 台式電腦的內存條和筆記本電腦的一樣么

電腦分為筆記本和台式機，這兩者裡面都有一個很重要的部件就是內存條，雖然作用都是相同的，但兩者卻是不一樣的，那麼筆記本內存條和台式機通用嗎?答案是不可以，下面小編會給大家詳細介紹不能通用的原因，以及筆記本內存條怎麼裝、看型號等等問題。

筆記本內存條和台式機通用嗎

首先可以明確的告訴大家，大部分的筆記本的內存條是不能和台式機通用的，因為兩者在體積上就不同，一般筆記本內存條會比台式機的稍小一些，所以金手指也不同。其次筆記本內存條和台式機有許多的區別，除了體積之外，針數也是不同的，具體差別如下：

1、筆記本內存比台式機內存小，採用144 PIN，筆記本所用的PC133 SDRAM與台式機的一樣。

2、同樣DDR內存採用的針數和台式機也是不一樣的，但頻率性能則等同於台式機DDR內存。同樣分為3代4代2代內存條。價格比台式機的便宜。長度大小不一樣。買的時候要說筆記本內存條。

3、但是兼容性比台式機差太多了。意思是說你筆記本內存條買回來不一定能夠識別，開機都黑屏。台式機基本上很少有此類現象。

4、大部分的筆記本電腦的內存和台式機的是不一樣的，從外觀上可以看出了：台式機內存，細長， 長度為13-14厘米;筆記本內存， 比較短，長度5厘米左右的;相應的內存對應相應的插槽，這樣是無法適用的。

2. 台式電腦的內存條都是通用的嗎增加內存條還需要什麼設置嗎還需要重裝系統嗎

加內存條不用重裝系統，內存條一般來說最好是一個牌子的，但是不知道你的條是幾代，現在就有1代，2代，3代。
1代是很老的條子了，估計不會是。
1代的主機只能裝1代的條子。
有的內存條再一台主機上還不兼容，很容易藍屏，而且加了的話或許會比以前還卡。

3. 電腦內存條是通用的嗎

電腦內存條不通用。

內存條，分為DDR1、DDR2、DDR3、DDR4是有區別的，他們的頻率也不一樣。

同時筆記本的內存條和電腦的內存大小也是不一樣的，所以他們的插槽也是有很大的區別。

DDR3代的內存條頻率一般為：1333MHz 和 1666MHz。DDR4代的內存條頻率一般為：2133MHz 和 2400MHz。具體選擇什麼樣的頻率需要看你的主板是否支持。

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內存的技術指標：

1、奇偶校驗

奇/偶校驗（ECC）是數據傳送時採用的一種校正數據錯誤的一種方式，分為奇校驗和偶校驗兩種。

2、內存容量

內存容量同硬碟、軟盤等存儲器容量單位都是相同的，它們的基本單位都是位元組（B）。

3、存取時間

存取時間是內存的另一個重要指標，其單位為納秒(ns)，常見的SDRAM有6ns，7ns， 8ns， 10ns等幾種，相應在內存條上標為-6，-7，-8，-10等字樣。這個數值越小，存取速度越快，但價格也越高。

4、頻率

內存主頻和CPU主頻一樣，習慣上被用來表示內存的速度，它代表著該內存所能達到的最高工作頻率。內存主頻是以MHz（兆赫）為單位來計量的。內存主頻越高在一定程度上代表著內存所能達到的速度越快。

5、帶寬

從功能上理解，我們可以將內存看作是內存控制器（一般位於北橋晶元中）與CPU之間的橋梁或與倉庫。顯然，內存的容量決定「倉庫」的大小，而內存的帶寬決定「橋梁」的寬窄，兩者缺一不可。

4. 台式電腦內存條是否是通用的例如把電腦A的內存條安裝到電腦B是會不會影響到電腦B的正常工作

不是通用的，如DDR2和DDR3，例如把電腦A的內存條安裝到電腦B如果同樣是DDR2或DDR3就可以。

5. 台式機上的3代的內存條是不是都通用

很高興能為您解答問題，也感謝網路知道管理員的辛勤工作！
准確的說，是不通用的！
ddr3內存目前有倆個版本，分別是
ddr3
（1.5v標准電壓的）和ddr3l（1.3v低電壓的）
低電壓的內存台式機較少見，但是不能說沒有。
同等電壓的內存是通用的。至於頻率，是向下兼容的，取最小值使用

6. 台式機內存條通用嗎

不通用。你的2003年的機器可能是DDR內存也可能是DROM內存。現在已經發展到DDE2.DDR3了。不過你可以試試嘛。反正能插上去的就是對的，插不上去的就是錯的，也不會出什麼問題

7. 台式電腦的內存條都通用嗎

不通用，目前台式機常用的有SD的；DDR的和DDR2的。

8. 所有台式電腦內存條通用嗎

不是的。
同一代的內存條才可以通用，比如兩台電腦的內存條都是DDR3，就可以通用。
DDR2隻能與DDR2通用。

9. 電腦內存條是不是通用的

不通用:有關區別如下
內存區別】
DDR2與DDR的區別
與DDR相比，DDR2最主要的改進是在內存模塊速度相同的情況下，可以提供相當於DDR內存兩倍的帶寬。這主要是通過在每個設備上高效率使用兩個DRAM核心來實現的。作為對比，在每個設備上DDR內存只能夠使用一個DRAM核心。技術上講，DDR2內存上仍然只有一個DRAM核心，但是它可以並行存取，在每次存取中處理4個數據而不是兩個數據。
與雙倍速運行的數據緩沖相結合，DDR2內存實現了在每個時鍾周期處理多達4bit的數據，比傳統DDR內存可以處理的2bit數據高了一倍。DDR2內存另一個改進之處在於，它採用FBGA封裝方式替代了傳統的TSOP方式。
然而，盡管DDR2內存採用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們仍然要使用新主板才能搭配DDR2內存，因為DDR2的物理規格和DDR是不兼容的。首先是介面不一樣，DDR2的針腳數量為240針，而DDR內存為184針；其次，DDR2內存的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR內存的2.5V不同。
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標准，它與上一代DDR內存技術標准最大的不同就是，雖然同是採用了在時鍾的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍於上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每個時鍾能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫數據，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度運行。
此外，由於DDR2標准規定所有DDR2內存均採用FBGA封裝形式，而不同於目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端匯流排對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。
DDR2與DDR的區別：
在了解DDR2內存諸多新技術前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術對比的數據。
1、延遲問題：
從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益於DDR2內存擁有兩倍於標准DDR內存的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都採用了在時鍾的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍於DDR的預讀取系統命令數據的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。
這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中，後者的內存延時要慢於前者。舉例來說，DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲，而後者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高於DDR400。
2、封裝和發熱量：
DDR2內存技術最大的突破點其實不在於用戶們所認為的兩倍於DDR的傳輸能力，而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標准DDR的400MHZ限制。
DDR內存通常採用TSOP晶元封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均採用FBGA封裝形式。不同於目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。
DDR2內存採用1.8V電壓，相對於DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的。
DDR2採用的新技術：
除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。
ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的製造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻並不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自己的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質，這是DDR不能比擬的。
Post CAS：它是為了提高DDR II內存的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號後面的一個時鍾周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）後面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設置。由於CAS信號放在了RAS信號後面一個時鍾周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞沖突。
總的來說，DDR2採用了諸多的新技術，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。
DDR3與DDR2幾個主要的不同之處 ：
1.突發長度（Burst Length，BL）
由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸周期（Burst Length，BL）也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4bit Burst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。
2.定址時序（Timing）
就像DDR2從DDR轉變而來後延遲周期數增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2～5之間，而DDR3則在5～11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0～4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。
3.DDR3新增的重置（Reset）功能
重置是DDR3新增的一項重要功能，並為此專門准備了一個引腳。DRAM業界很早以前就要求增加這一功能，如今終於在DDR3上實現了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3內存將停止所有操作，並切換至最少量活動狀態，以節約電力。
在Reset期間，DDR3內存將關閉內在的大部分功能，所有數據接收與發送器都將關閉，所有內部的程序裝置將復位，DLL（延遲鎖相環路）與時鍾電路將停止工作，而且不理睬數據匯流排上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節省電力的目的。
4.DDR3新增ZQ校準功能
ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令後，將用相應的時鍾周期（在加電與初始化之後用512個時鍾周期，在退出自刷新操作後用256個時鍾周期、在其他情況下用64個時鍾周期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。
5.參考電壓分成兩個
在DDR3系統中，對於內存系統工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號，即為命令與地址信號服務的VREFCA和為數據匯流排服務的VREFDQ，這將有效地提高系統數據匯流排的信噪等級。
6.點對點連接（Point-to-Point，P2P）
這是為了提高系統性能而進行的重要改動，也是DDR3與DDR2的一個關鍵區別。在DDR3系統中，一個內存控制器只與一個內存通道打交道，而且這個內存通道只能有一個插槽，因此，內存控制器與DDR3內存模組之間是點對點（P2P）的關系（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（Point-to-two-Point，P22P）的關系（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址/命令/控制與數據匯流排的負載。而在內存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（伺服器）之分，其中第二代FB-DIMM將採用規格更高的AMB2（高級內存緩沖器）。
面向64位構架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優勢，此外，由於DDR3所採用的根據溫度自動自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動設備的歡迎，就像最先迎接DDR2內存的不是台式機而是伺服器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC台式機領域，DDR3未來也是一片光明。目前Intel預計在明年第二季所推出的新晶元-熊湖(Bear Lake)，其將支持DDR3規格，而AMD也預計同時在K9平台上支持DDR2及DDR3兩種規格。
內存非同步工作模式包含多種意義，在廣義上凡是內存工作頻率與CPU的外頻不一致時都可以稱為內存非同步工作模式。首先，最早的內存非同步工作模式出現在早期的主板晶元組中，可以使內存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是簡單相差33MHz)，從而可以提高系統內存性能或者使老內存繼續發揮余熱。其次，在正常的工作模式(CPU不超頻)下，目前不少主板晶元組也支持內存非同步工作模式，例如Intel 910GL晶元組，僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻，但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作(注意此時其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經相差66MHz了)，只不過搭配不同的內存其性能有差異罷了。再次，在CPU超頻的情況下，為了不使內存拖CPU超頻能力的後腿，此時可以調低內存的工作頻率以便於超頻，例如AMD的Socket 939介面的Opteron 144非常容易超頻，不少產品的外頻都可以輕松超上300MHz，而此如果在內存同步的工作模式下，此時內存的等效頻率將高達DDR 600，這顯然是不可能的，為了順利超上300MHz外頻，我們可以在超頻前在主板BIOS中把內存設置為DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外頻之後，前者也不過才DDR 500(某些極品內存可以達到)，而後者更是只有DDR 400(完全是正常的標准頻率)，由此可見，正確設置內存非同步模式有助於超頻成功。
目前的主板晶元組幾乎都支持內存非同步，英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持，而威盛公司則從693晶元組以後全部都提供了此功能。