1. DDR400的內存條最大有多大
ddr400最大容量為單條1G現在市場上還有新的賣的，不過價格很貴。如金士頓和金邦的都在260元錢左右。淘寶上也有賣100多一點的。二手一般在150元左右。
2. DDR400是什麼意思
DDR
DDR表示Double Date Rate,即雙數據速度內存.它是SDRAM的演進,當然也是高速的內存.傳統的內存是在時鍾的下降沿來存取數據.
DDR技術則遵從Jedec標准,既在時鍾的上沿取數據又不放過時鍾的下沿,故有雙倍的帶寬,其峰值帶寬可達到1.6GHZ.同時,該技術支持新的改進的校驗方法.DDR內存需要新的高速時鍾和晶元組,自然也要求有新的主板支持.以前的DDR內存有83MHZ,100MHZ,125MHZ,133MHZ,100MHZ，333，400等都是指頻率，當然頻率越高越好啦！
現在市場上DDR內存從速度上有DDR266、DDR333和DDR400三種規格分別對應的數據傳輸量分別是PC2100、PC2700和PC3200，單位是M/S，並且所有規格都是向下兼容的，當然速度越快，價格也越高。從品牌上看，主流的有現代（HY）、三星、宇瞻、MT、kingston、kingmax等等。內存顆粒封裝工藝除了kingmax採用TinyBGA封裝外，其他的內存都採用傳統TSOP封裝技術。
3. 內存條DDR400、DDR2、DDR1分別是什麼意思
DDR=Double Data Rate雙倍速內存
嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，部分初學者也常看到DDR SDRAM，就認為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。
SDRAM在一個時鍾周期內只傳輸一次數據，它是在時鍾的上升期進行數據傳輸；而DDR內存則是一個時鍾周期內傳輸兩次次數據，它能夠在時鍾的上升期和下降期各傳輸一次數據，因此稱為雙倍速率同步動態隨機存儲器。DDR內存可以在與SDRAM相同的匯流排頻率下達到更高的數據傳輸率。
與SDRAM相比：DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數據的輸送和輸出主要步驟既獨立執行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定迴路提供一個數據濾波信號)技術，當數據有效時，存儲控制器可使用這個數據濾波信號來精確定位數據，每16次輸出一次，並重新同步來自不同存儲器模塊的數據。DDR本質上不需要提高時鍾頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鍾脈沖的上升沿和下降沿讀出數據，因而其速度是標准SDRA的兩倍。
從外形體積上DDR與SDRAM相比差別並不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鍾、電源和接地等信號。DDR內存採用的是支持2.5V電壓的SSTL2標准，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標准。
DDR內存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內存顆粒實際的工作頻率，但是由於DDR內存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數據，因此傳輸數據的等效頻率是工作頻率的兩倍。
什麼是 DDR1?
有時候大家將老的存儲技術 DDR 稱為 DDR1 ，使之與 DDR2 加以區分。盡管一般是使用 「DDR」 ，但 DDR1 與 DDR 的含義相同。
什麼是 DDR2?
DDR2 是 DDR SDRAM 內存的第二代產品。它在 DDR 內存技術的基礎上加以改進，從而其傳輸速度更快（可達 667MHZ ），耗電量更低，散熱性能更優良 .
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標准，它與上一代DDR內存技術標准最大的不同就是，雖然同是採用了在時鍾的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍於上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每個時鍾能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫數據，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度運行。
DDR3與DDR2幾個主要的不同之處 ：
1.突發長度（Burst Length，BL）
由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸周期（Burst Length，BL）也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4bit Burst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。
2.定址時序（Timing）
就像DDR2從DDR轉變而來後延遲周期數增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2～5之間，而DDR3則在5～11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0～4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。
3.DDR3新增的重置（Reset）功能
重置是DDR3新增的一項重要功能，並為此專門准備了一個引腳。DRAM業界很早以前就要求增加這一功能，如今終於在DDR3上實現了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3內存將停止所有操作，並切換至最少量活動狀態，以節約電力。
在Reset期間，DDR3內存將關閉內在的大部分功能，所有數據接收與發送器都將關閉，所有內部的程序裝置將復位，DLL（延遲鎖相環路）與時鍾電路將停止工作，而且不理睬數據匯流排上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節省電力的目的。
4.DDR3新增ZQ校準功能
ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令後，將用相應的時鍾周期（在加電與初始化之後用512個時鍾周期，在退出自刷新操作後用256個時鍾周期、在其他情況下用64個時鍾周期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。
5.參考電壓分成兩個
在DDR3系統中，對於內存系統工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號，即為命令與地址信號服務的VREFCA和為數據匯流排服務的VREFDQ，這將有效地提高系統數據匯流排的信噪等級。
6.點對點連接（Point-to-Point，P2P）
這是為了提高系統性能而進行的重要改動，也是DDR3與DDR2的一個關鍵區別。在DDR3系統中，一個內存控制器只與一個內存通道打交道，而且這個內存通道只能有一個插槽，因此，內存控制器與DDR3內存模組之間是點對點（P2P）的關系（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（Point-to-two-Point，P22P）的關系（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址/命令/控制與數據匯流排的負載。而在內存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（伺服器）之分，其中第二代FB-DIMM將採用規格更高的AMB2（高級內存緩沖器）。
面向64位構架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優勢，此外，由於DDR3所採用的根據溫度自動自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動設備的歡迎，就像最先迎接DDR2內存的不是台式機而是伺服器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC台式機領域，DDR3未來也是一片光明。目前Intel預計在明年第二季所推出的新晶元-熊湖(Bear Lake)，其將支持DDR3規格，而AMD也預計同時在K9平台上支持DDR2及DDR3兩種規格。
想加跟內存條 得買個DDR400的內存
4. 內存條 DDR400 什麼意思
DDR
DDR表示Double
Date
Rate,即雙數據速度內存.它是SDRAM的演進,當然也是高速的內存.傳統的內存是在時鍾的下降沿來存取數據.
DDR技術則遵從Jedec標准,既在時鍾的上沿取數據又不放過時鍾的下沿,故有雙倍的帶寬,其峰值帶寬可達到1.6GHZ.同時,該技術支持新的改進的校驗方法.DDR內存需要新的高速時鍾和晶元組,自然也要求有新的主板支持.以前的DDR內存有83MHZ,100MHZ,125MHZ,133MHZ,100MHZ，333，400等都是指頻率，當然頻率越高越好啦!
現在市場上DDR內存從速度上有DDR266、DDR333和DDR400三種規格分別對應的數據傳輸量分別是PC2100、PC2700和PC3200，單位是M/S，並且所有規格都是向下兼容的，當然速度越快，價格也越高。從品牌上看，主流的有現代(HY)、三星、宇瞻、MT、kingston、kingmax等等。內存顆粒封裝工藝除了kingmax採用TinyBGA封裝外，其他的內存都採用傳統TSOP封裝技術。
5. 我的台式電腦內存條上標有DDR400 還有 PC3200 CL=3 0這些是什麼意思
CAS#
latency(Tcl)，全名：預充電時間
(CAS
Latency)：通常簡稱CL。例如CL=3，表示電腦系統自主內存讀取第一筆資料時，所需的准備時間為3個外部頻率
(System
clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需准備時間，相差一個時脈，對整個系統的性能並無顯著影響。
CL2快
400是頻率400MHz