台式電腦內存封裝

㈠ 威剛游戲威龍DDR4 8G 3000台式機電腦內存條，單條封裝買8GX2條的價格比雙條封裝16G(8GX2)的價格便宜

這個是很正常的。
一般套條是經過匹配測試的，也就是一個包裝內的2條或者多條內存的顆粒參數都一致，很容易在主板上組成雙通道，具有較高的一致性和穩定性，不只是雙條、有的4套條、8套條的內存可能會更貴，因為要驗證的平台更多，一致性的要求更高，當然這里說的是正規大品牌內存，如果是雜牌內存，弄幾條隨手一裝那就沒有意義了。
而單條內存僅保證一條的穩定性，無法保證你買2條同型號的內存顆粒就是一樣的，雖然說現在的內存兼容性很不錯了，但是如果顆粒不同的話，在一些挑內存的平台默認頻率用可能沒事，但是超頻可能就會杯具。

㈡ DDR3台式機內存的封裝有哪幾種各有什麼優缺點

內存封裝的方法只有1種

但是BALL的數量好幾種

BGA的讀取次序不一致

㈢ 台式電腦可以用伺服器內存條嗎

伺服器內存不能用於台式電腦。這是因為：

1、伺服器內存都帶有ECC校驗模塊，普通主板不支持校驗模塊所以不能用。

2、伺服器的封裝和普通內存封裝不一樣，伺服器的內存顆粒大部分是單顆1GB甚至更高，普通主板不識別所以不能用。

3、伺服器內存必須搭配專用晶元組主板以及至強系列CPU（部分I7也支持）才能發揮其最大優勢。普通主板由於缺少相對應的內存模塊支持所以不通用。

(3)台式電腦內存封裝擴展閱讀：

台式機插伺服器的內存條，開機時電腦會報警。而伺服器可以兼容台式機的內存條，只是穩定性和性能會差很多。

台式機內存由4顆/8顆/16顆/32顆存儲晶元組成，常見的單面8顆粒或雙面16顆粒，目前常見的內存容量：8G/16G/32G。

ECC伺服器內存有5顆/9顆/10顆/18顆存儲晶元組成，從外觀上顆粒比台式的每面要多1顆「錯誤校驗晶元」。

台式機和伺服器內存的工作原理相同，但基於伺服器對可靠性和安全性的更高要求，內存將具有更多功能，台式機無法使用這些功能，從而導致無法識別。

㈣ 伺服器內存，想使用在我的台式電腦上

伺服器內存不能裝在台式電腦上的。伺服器內存有以下特點：

1. 伺服器內存都帶有ECC效驗模塊，普通主板不支持效驗模塊所以不能用。

2. 伺服器的封裝和普通內存封裝不一樣，伺服器的內存顆粒大部分是單顆1GB甚至更高，普通主板不識別所以不能用。

3. 伺服器內存必須搭配專用晶元組主板以及至強系列CPU（部分I7也支持）才能發揮其最大優勢。普通主板由於缺少相對應的內存模塊支持所以不通用。
   

㈤ 如何看台式電腦內存條的的插口類型

通常主板在內存條插槽邊上都會有標識。

上圖則標識支持DDR3雙通道的內存。

㈥ 電腦里說「內存顆粒」，請問：內存條里封裝的是顆粒

晶圓，一般有6英寸、8英寸及12英寸規格不等，晶片就是基於晶圓生產出來的。晶圓上一個小塊，一個小塊，就是晶片晶圓體，也名Die，經過封裝之後就成為一個快閃記憶體顆粒。
顆粒封裝其實就是內存晶元所採用的封裝技術類型，封裝就是將內存晶元包裹起來，以避免晶元與外界接觸，防止外界對晶元的損害。

㈦ 台式機內存條和筆記本內存條有什麼不同

DDR內存和DDR2內存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內存顆粒實際的工作頻率，但是由於DDR內存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數據，因此傳輸數據的等效頻率是工作頻率的兩倍；而DDR2內存每個時鍾能夠以四倍於工作頻率的速度讀/寫數據，因此傳輸數據的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是400/533/667/800MHz。
介面類型是根據內存條金手指上導電觸片的數量來劃分的，金手指上的導電觸片也習慣稱為針腳數（Pin）。因為不同的內存採用的介面類型各不相同，而每種介面類型所採用的針腳數各不相同。筆記本內存一般採用144Pin、200Pin介面；台式機內存則基本使用168Pin和184Pin介面。對應於內存所採用的不同的針腳數，內存插槽類型也各不相同。目前台式機系統主要有SIMM、DIMM和RIMM三種類型的內存插槽，而筆記本內存插槽則是在SIMM和DIMM插槽基礎上發展而來，基本原理並沒有變化，只是在針腳數上略有改變。

金手指
金手指（connecting finger）是內存條上與內存插槽之間的連接部件，所有的信號都是通過金手指進行傳送的。金手指由眾多金黃色的導電觸片組成，因其表面鍍金而且導電觸片排列如手指狀，所以稱為「金手指」。金手指實際上是在覆銅板上通過特殊工藝再覆上一層金，因為金的抗氧化性極強，而且傳導性也很強。不過因為金昂貴的價格，目前較多的內存都採用鍍錫來代替，從上個世紀90年代開始錫材料就開始普及，目前主板、內存和顯卡等設備的「金手指」幾乎都是採用的錫材料，只有部分高性能伺服器/工作站的配件接觸點才會繼續採用鍍金的做法，價格自然不菲。

內存金手指
內存處理單元的所有數據流、電子流正是通過金手指與內存插槽的接觸與PC系統進行交換，是內存的輸出輸入埠，因此其製作工藝對於內存連接顯得相當重要。

內存插槽
最初的計算機系統通過單獨的晶元安裝內存，那時內存晶元都採用DIP（Dual ln-line Package，雙列直插式封裝）封裝，DIP晶元是通過安裝在插在匯流排插槽里的內存卡與系統連接，此時還沒有正式的內存插槽。DIP晶元有個最大的問題就在於安裝起來很麻煩，而且隨著時間的增加，由於系統溫度的反復變化，它會逐漸從插槽里偏移出來。隨著每日頻繁的計算機啟動和關閉，晶元不斷被加熱和冷卻，慢慢地晶元會偏離出插槽。最終導致接觸不好，產生內存錯誤。
早期還有另外一種方法是把內存晶元直接焊接在主板或擴展卡里，這樣有效避免了DIP晶元偏離的問題，但無法再對內存容量進行擴展，而且如果一個晶元發生損壞，整個系統都將不能使用，只能重新焊接一個晶元或更換包含壞晶元的主板，此種方法付出的代價較大，也極為不方便。
對於內存存儲器，大多數現代的系統都已採用單列直插內存模塊（Single Inline Memory Mole，SIMM）或雙列直插內存模塊（Dual Inline Memory Mole，DIMM）來替代單個內存晶元。早期的EDO和SDRAM內存，使用過SIMM和DIMM兩種插槽，但從SDRAM開始，就以DIMM插槽為主，而到了DDR和DDR2時代，SIMM插槽已經很少見了。下邊具體的說一下幾種常見的內存插槽。

SIMM（Single Inline Memory Mole，單內聯內存模塊）

內存條通過金手指與主板連接，內存條正反兩面都帶有金手指。金手指可以在兩面提供不同的信號，也可以提供相同的信號。SIMM就是一種兩側金手指都提供相同信號的內存結構，它多用於早期的FPM和EDD DRAM，最初一次只能傳輸8bif數據，後來逐漸發展出16bit、32bit的SIMM模組，其中8bit和16bitSIMM使用30pin介面，32bit的則使用72pin介面。在內存發展進入SDRAM時代後，SIMM逐漸被DIMM技術取代。
DIMM（Dual Inline Memory,雙內聯內存模塊)
DIMM與SIMM相當類似，不同的只是DIMM的金手指兩端不像SIMM那樣是互通的，它們各自獨立傳輸信號，因此可以滿足更多數據信號的傳送需要。同樣採用DIMM，SDRAM 的介面與DDR內存的介面也略有不同，SDRAM DIMM為168Pin DIMM結構，金手指每面為84Pin，金手指上有兩個卡口，用來避免插入插槽時，錯誤將內存反向插入而導致燒毀；DDR DIMM則採用184Pin DIMM結構，金手指每面有92Pin，金手指上只有一個卡口。卡口數量的不同，是二者最為明顯的區別。
為了滿足筆記本電腦對內存尺寸的要求，SO-DIMM（Small Outline DIMM Mole）也開發了出來，它的尺寸比標準的DIMM要小很多，而且引腳數也不相同。同樣SO-DIMM也根據SDRAM和DDR內存規格不同而不同，SDRAM的SO-DIMM只有144pin引腳，而DDR的SO-DIMM擁有200pin引腳。
RIMM
RIMM是Rambus公司生產的RDRAM內存所採用的介面類型，RIMM內存與DIMM的外型尺寸差不多，金手指同樣也是雙面的。RIMM有也184 Pin的針腳，在金手指的中間部分有兩個靠的很近的卡口。RIMM非ECC版有16位數據寬度，ECC版則都是18位寬。由於RDRAM內存較高的價格，此類內存在DIY市場很少見到，RIMM介面也就難得一見了。
顆粒封裝其實就是內存晶元所採用的封裝技術類型，封裝就是將內存晶元包裹起來，以避免晶元與外界接觸，防止外界對晶元的損害。空氣中的雜質和不良氣體，乃至水蒸氣都會腐蝕晶元上的精密電路，進而造成電學性能下降。不同的封裝技術在製造工序和工藝方面差異很大，封裝後對內存晶元自身性能的發揮也起到至關重要的作用。

隨著光電、微電製造工藝技術的飛速發展，電子產品始終在朝著更小、更輕、更便宜的方向發展，因此晶元元件的封裝形式也不斷得到改進。晶元的封裝技術多種多樣，有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等，種類不下三十種，經歷了從DIP、TSOP到BGA的發展歷程。晶元的封裝技術已經歷了幾代的變革，性能日益先進，晶元面積與封裝面積之比越來越接近，適用頻率越來越高，耐溫性能越來越好，以及引腳數增多，引腳間距減小，重量減小，可靠性提高，使用更加方便。

DIP封裝

上個世紀的70年代，晶元封裝基本都採用DIP（Dual ln-line Package，雙列直插式封裝）封裝，此封裝形式在當時具有適合PCB（印刷電路板）穿孔安裝，布線和操作較為方便等特點。DIP封裝的結構形式多種多樣，包括多層陶瓷雙列直插式DIP，單層陶瓷雙列直插式DIP，引線框架式DIP等。但DIP封裝形式封裝效率是很低的，其晶元面積和封裝面積之比為1：1.86，這樣封裝產品的面積較大，內存條PCB板的面積是固定的，封裝面積越大在內存上安裝晶元的數量就越少，內存條容量也就越小。同時較大的封裝面積對內存頻率、傳輸速率、電器性能的提升都有影響。理想狀態下晶元面積和封裝面積之比為1：1將是最好的，但這是無法實現的，除非不進行封裝，但隨著封裝技術的發展，這個比值日益接近，現在已經有了1：1.14的內存封裝技術。

TSOP封裝

到了上個世紀80年代，內存第二代的封裝技術TSOP出現，得到了業界廣泛的認可，時至今日仍舊是內存封裝的主流技術。TSOP是「Thin Small Outline Package」的縮寫，意思是薄型小尺寸封裝。TSOP內存是在晶元的周圍做出引腳，採用SMT技術（表面安裝技術）直接附著在PCB板的表面。TSOP封裝外形尺寸時，寄生參數(電流大幅度變化時，引起輸出電壓擾動) 減小，適合高頻應用，操作比較方便，可靠性也比較高。同時TSOP封裝具有成品率高，價格便宜等優點，因此得到了極為廣泛的應用。
TSOP封裝方式中，內存晶元是通過晶元引腳焊接在PCB板上的，焊點和PCB板的接觸面積較小，使得晶元向PCB辦傳熱就相對困難。而且TSOP封裝方式的內存在超過150MHz後，會產品較大的信號干擾和電磁干擾。

BGA封裝

20世紀90年代隨著技術的進步，晶元集成度不斷提高，I/O引腳數急劇增加，功耗也隨之增大，對集成電路封裝的要求也更加嚴格。為了滿足發展的需要，BGA封裝開始被應用於生產。BGA是英文Ball Grid Array Package的縮寫，即球柵陣列封裝。

採用BGA技術封裝的內存，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高兩到三倍，BGA與TSOP相比，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。BGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了很大提升，採用BGA封裝技術的內存產品在相同容量下，體積只有TSOP封裝的三分之一；另外，與傳統TSOP封裝方式相比，BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。
BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術的優點是I/O引腳數雖然增加了，但引腳間距並沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷晶元法焊接，從而可以改善它的電熱性能；厚度和重量都較以前的封裝技術有所減少；寄生參數減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。

說到BGA封裝就不能不提Kingmax公司的專利TinyBGA技術，TinyBGA英文全稱為Tiny Ball Grid Array（小型球柵陣列封裝），屬於是BGA封裝技術的一個分支,是Kingmax公司於1998年8月開發成功的，其晶元面積與封裝面積之比不小於1:1.14，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高2～3倍，與TSOP封裝產品相比，其具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。
採用TinyBGA封裝技術的內存產品在相同容量情況下體積只有TSOP封裝的1/3。TSOP封裝內存的引腳是由晶元四周引出的，而TinyBGA則是由晶元中心方向引出。這種方式有效地縮短了信號的傳導距離，信號傳輸線的長度僅是傳統的TSOP技術的1/4，因此信號的衰減也隨之減少。這樣不僅大幅提升了晶元的抗干擾、抗噪性能，而且提高了電性能。採用TinyBGA封裝晶元可抗高達300MHz的外頻，而採用傳統TSOP封裝技術最高只可抗150MHz的外頻。

TinyBGA封裝的內存其厚度也更薄（封裝高度小於0.8mm），從金屬基板到散熱體的有效散熱路徑僅有0.36mm。因此，TinyBGA內存擁有更高的熱傳導效率，非常適用於長時間運行的系統，穩定性極佳。

CSP封裝

CSP（Chip Scale Package），是晶元級封裝的意思。CSP封裝最新一代的內存晶元封裝技術，其技術性能又有了新的提升。CSP封裝可以讓晶元面積與封裝面積之比超過1:1.14，已經相當接近1:1的理想情況，絕對尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，僅僅相當於TSOP內存晶元面積的1/6。與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高三倍。

CSP封裝內存不但體積小，同時也更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.2毫米，大大提高了內存晶元在長時間運行後的可靠性，線路阻抗顯著減小，晶元速度也隨之得到大幅度提高。

CSP封裝內存晶元的中心引腳形式有效地縮短了信號的傳導距離，其衰減隨之減少，晶元的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升，這也使得CSP的存取時間比BGA改善15%－20%。在CSP的封裝方式中，內存顆粒是通過一個個錫球焊接在PCB板上，由於焊點和PCB板的接觸面積較大，所以內存晶元在運行中所產生的熱量可以很容易地傳導到PCB板上並散發出去。CSP封裝可以從背面散熱，且熱效率良好，CSP的熱阻為35℃/W，而TSOP熱阻40℃/W

㈧ 封裝技術的內存的封裝技術

如今計算機的「心」奔騰不止，以百兆為單位的高速提升讓我們不得不感嘆CPU技術的成熟和完善。不過，光有一顆速急力猛的芯好像還遠遠不夠，為了讓計算機真正快速地跑起來，整個內外系統都需要齊齊跟進，而內存則一向是一個關注焦點。作為計算機的「運作機艙」，內存的性能直接影響計算機的整體表現，重要性是不言而喻的。與CPU一樣，內存的製造工藝同樣對其性能高低具有決定意義，而在內存製造工藝流程上的最後一步也是最關鍵一步就是內存的封裝技術。採用不同封裝技術的內存條，在性能上也會存在較大差距。從DIP、TSOP到BGA，不斷發展的封裝技術使得內存向著高頻、高速的目標繼續邁進，而NORCENT Micro－CSP等新型技術的出現，則意味著內存封裝已經進入到CSP時代。

㈨ 內存封裝的類型

到了上個世紀80年代，內存第二代的封裝技術TSOP出現，得到了業界廣泛的認可，時至今日仍舊是內存封裝的主流技術。TSOP是「Thin Small Outline Package」的縮寫，意思是薄型小尺寸封裝。TSOP內存是在晶元的周圍做出引腳，採用SMT技術（表面安裝技術）直接附著在PCB板的表面。TSOP封裝外形尺寸時，寄生參數(電流大幅度變化時，引起輸出電壓擾動) 減小，適合高頻應用，操作比較方便，可靠性也比較高。同時TSOP封裝具有成品率高，價格便宜等優點，因此得到了極為廣泛的應用。
TSOP封裝方式中，內存晶元是通過晶元引腳焊接在PCB板上的，焊點和PCB板的接觸面積較小，使得晶元向PCB辦傳熱就相對困難。而且TSOP封裝方式的內存在超過150MHz後，會產生較大的信號干擾和電磁干擾。 20世紀90年代隨著技術的進步，晶元集成度不斷提高，I/O引腳數急劇增加，功耗也隨之增大，對集成電路封裝的要求也更加嚴格。為了滿足發展的需要，BGA封裝開始被應用於生產。BGA是英文Ball Grid Array Package的縮寫，即球柵陣列封裝。
採用BGA技術封裝的內存，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高兩到三倍，BGA與TSOP相比，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。BGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了很大提升，採用BGA封裝技術的內存產品在相同容量下，體積只有TSOP封裝的三分之一；另外，與傳統TSOP封裝方式相比，BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。
BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術的優點是I/O引腳數雖然增加了，但引腳間距並沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷晶元法焊接，從而可以改善它的電熱性能；厚度和重量都較以前的封裝技術有所減少；寄生參數減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。
說到BGA封裝就不能不提Kingmax公司的專利TinyBGA技術，TinyBGA英文全稱為Tiny Ball Grid Array（小型球柵陣列封裝），屬於是BGA封裝技術的一個分支,是Kingmax公司於1998年8月開發成功的，其晶元面積與封裝面積之比不小於1:1.14，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高2～3倍，與TSOP封裝產品相比，其具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。
採用TinyBGA封裝技術的內存產品在相同容量情況下體積只有TSOP封裝的1/3。TSOP封裝內存的引腳是由晶元四周引出的，而TinyBGA則是由晶元中心方向引出。這種方式有效地縮短了信號的傳導距離，信號傳輸線的長度僅是傳統的TSOP技術的1/4，因此信號的衰減也隨之減少。這樣不僅大幅提升了晶元的抗干擾、抗噪性能，而且提高了電性能。採用TinyBGA封裝晶元可抗高達300MHz的外頻，而採用傳統TSOP封裝技術最高只可抗150MHz的外頻。
TinyBGA封裝的內存其厚度也更薄（封裝高度小於0.8mm），從金屬基板到散熱體的有效散熱路徑僅有0.36mm。因此，TinyBGA內存擁有更高的熱傳導效率，非常適用於長時間運行的系統，穩定性極佳。 CSP（Chip Scale Package），是晶元級封裝的意思。CSP封裝最新一代的內存晶元封裝技術，其技術性能又有了新的提升。CSP封裝可以讓晶元面積與封裝面積之比超過1:1.14，已經相當接近1:1的理想情況，絕對尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，僅僅相當於TSOP內存晶元面積的1/6。與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高三倍。
CSP封裝內存不但體積小，同時也更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.2毫米，大大提高了內存晶元在長時間運行後的可靠性，線路阻抗顯著減小，晶元速度也隨之得到大幅度提高。
CSP封裝內存晶元的中心引腳形式有效地縮短了信號的傳導距離，其衰減隨之減少，晶元的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升，這也使得CSP的存取時間比BGA改善15%－20%。在CSP的封裝方式中，內存顆粒是通過一個個錫球焊接在PCB板上，由於焊點和PCB板的接觸面積較大，所以內存晶元在運行中所產生的熱量可以很容易地傳導到PCB板上並散發出去。CSP封裝可以從背面散熱，且熱效率良好，CSP的熱阻為35℃/W，而TSOP熱阻40℃/W。 WLCSP（Wafer Level Chip Scale Package，晶圓級晶元封裝），這種技術不同於傳統的先切割晶圓，再封裝測試的做法，而是先在整片晶圓上進行封裝和測試，然後再切割。WLCSP有著更明顯的優勢。首先是工藝工序大大優化，晶圓直接進入封裝工序，而傳統工藝在封裝之前還要對晶圓進行切割、分類。所有集成電路一次封裝，刻印工作直接在晶圓上進行，設備測試一次完成，這在傳統工藝中都是不可想像的。其次，生產周期和成本大幅下降，WLCSP的生產周期已經縮短到1天半。而且，新工藝帶來優異的性能，採用WLCSP封裝技術使晶元所需針腳數減少，提高了集成度。WLCSP帶來的另一優點是電氣性能的提升，引腳產生的電磁干擾幾乎被消除。採用WLCSP封裝的內存可以支持到800MHz的頻率，最大容量可達1GB！

㈩ 台式內存條有幾種類型什麼ERCC,普條，詳細講一下，謝謝😊

按內存條的介面形式，常見內存條有兩種：單列直插內存條（SIMM），和雙列直插內存條（DIMM）。SIMM內存條分為30線，72線兩種。DIMM內存條與SIMM內存條相比引腳增加到168線。DIMM可單條使用，不同容量可混合使用，SIMM必須成對使用。 按內存的工作方式，內存又有FPA EDO DRAM和SDRAM（同步動態RAM）等形式。 FPA（FAST PAGE MODE）RAM 快速頁面模式隨機存取存儲器：這是較早的電腦系統普通使用的內存，它每個三個時鍾脈沖周期傳送一次數據。 EDO（EXTENDED DATA OUT）RAM 擴展數據輸出隨機存取存儲器：EDO內存取消了主板與內存兩個存儲周期之間的時間間隔，他每個兩個時鍾脈沖周期輸出一次數據，大大地縮短了存取時間，是存儲速度提高30%。EDO一般是72腳，EDO內存已經被SDRAM所取代。 S（SYSNECRONOUS）DRAM 同步動態隨機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的內存。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鍾鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鍾周期，以相同的速度同步工作，每一個時鍾脈沖的上升沿便開始傳遞數據，速度比EDO內存提高50%。 DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM ：SDRAM的更新換代產品，他允許在時鍾脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鍾的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。 RDRAM（RAMBUS DRAM） 存儲器匯流排式動態隨機存取存儲器；RDRAM是RAMBUS公司開發的具有系統帶寬，晶元到晶元介面設計的新型DRAM，他能在很高的頻率范圍內通過一個簡單的匯流排傳輸數據。他同時使用低電壓信號，在高速同步時鍾脈沖的兩邊沿傳輸數據。INTEL將在其820晶元組產品中加入對RDRAM的支持。 由於這種內存的價格太過昂貴，在pc機上已經見不到他的蹤影。 DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標准，它與上一代DDR內存技術標准最大的不同就是，雖然同是採用了在時鍾的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍於上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每個時鍾能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫數據，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度運行。 此外，由於DDR2標准規定所有DDR2內存均採用FBGA封裝形式，而不同於目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端匯流排對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢