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三星電腦超頻設置

發布時間:2024-12-01 08:16:12

⑴ 電腦內存條怎麼超頻呢

1.內存同步超頻

對於內存超頻而言,根據不同主板,可以採用不同的超頻方案,同時內存超頻又與CPU有著直接或間接的關系,一般來說,內存超頻的實現方法有兩種:一是內存同步,即調整CPU外頻並使內存與之同頻工作;二是內存非同步,即內存工作頻率高出CPU外頻。

首先我們說說內存同步超頻,我們知道,在一般情況下,CPU外頻與內存外頻是一致的,所以在提升CPU外頻進行超頻時,也必須相應提升內存外頻使之與CPU同頻工作,比如我們擁有一個平台,CPU為Athlon XP 1800+、KT600主板、DDR266內存。Athlon XP 1800+默認外頻為133MHz、默認倍頻為11.5,主頻為1.53G,由於Athlon XP 1800+倍頻被鎖定了,只能通過提升外頻的方法超頻,假如將Athlon XP 1800+外頻提升到166MHz,此時CPU主頻為166MHz×11.5≈1.9GHz。

由於我們將CPU外頻提高到了166MHz,假如你使用的是DDR333以上規格內存,那麼將內存頻率設置為166MHz屬於標准頻率下工作,但這里使用的是DDR266內存,為了滿足CPU超頻需求,內存也必須由原來的DDR266(133MHz)超頻到DDR333(166MHz)使用。具體方法是進入BIOS設置,找到「Advanced Chipset Features」 選項,然後會看到一個「DRAM Clock」選項,將滑鼠游標定位到這里並回車,然後會出現內存頻率設置選項,在這里我們選擇「166MHz」並回車(如圖15),保存設置並退出即實現了內存同步超頻。

需要注意的是,超頻後的內存在非標准頻率下工作,如果內存品質不好,可能造成死機,所以內存超頻還需要看內存本身的品質,一般而言,市場上普遍常見的現代(Hyundai)、三星(Samsung)兼容DDR內存,其都不具備很好的超頻性能,要讓內存更穩定超頻,建議購買金士頓(Kingston)、勝創(Kingmax)等盒裝內存條。

2.內存非同步超頻

在內存同步工作模式下,內存的運行速度與CPU外頻相同。而內存非同步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術可令內存工作在高出或低於系統匯流排速度33MHz或3:4、4:5(內存:外頻)的頻率上,這樣可以緩解超頻時經常受限於內存的「瓶頸」。

對於支持SDRAM內存的老主板而言(如815系列),在支持內存非同步的主板BIOS中,可以在「DRAM Clock」下找到「Host Clock」、「Hclk-33M」、「Hclk+33M」三個模式。其中Host Clock為匯流排頻率和內存工作頻率同步,Hclk-33M表示匯流排頻率減少33M,而Hclk+33M可以使內存的工作頻率比系統外頻高出33MHz,比如將賽揚1.0G外頻從100MHz超到125MHz,而你的內存為PC133規格(即標准外頻為133MHz),此時在BIOS的「DRAM Clock」下選擇「Hclk+33M」,可以讓賽揚1.0G工作在125MHz外頻下,而內存卻可以在133MHz頻率下運行,充分挖掘內存的超頻潛力並提升系統性能。

而對於支持DDR內存的老主板而言(如845G晶元組),Intel規定845G只支持DDR266(133MHz×2)內存,不過有的品牌845G主板在BIOS中加入內存非同步功能(比如微星845G MAX),在BIOS中按照4:5的比例進行設置,可以讓內存運行在166MHz,從而支持DDR333(166MHz×2),並使內存帶寬提升到2.66GB/s。具體操作方式是:進入BIOS設置中,進入「Advanced Chipset Features」的「DRAM Timing Setting」選項,然後進入「DRAM Frequency(內存頻率)」選項,在這里可以看到266MHz、320MHz、400MHz、500MHz Auto等選項,我們直接選中「320MHz」即可(如圖16)。

3.增加電壓幫助超頻

內存頻率提升了,所以內存功耗也隨之增加,但在默認情況下,主板BIOS中內存電壓參數是被設置為內存標准頻率的數值,通常來說,為了確保內存超頻的穩定性,我們需要增加內存電壓,很多主板BIOS設置中都提供了內存電壓調節功能,同時內存電壓調節級別一般以0.05V或0.1V為檔次逐漸調節,內存電壓參數調節越細微,對超頻越有幫助。

調節內存電壓的方式是進入「Advanced Chipset Features」選項,然後將滑鼠游標定位到「Current Voltage」上,在這里我們看到,該主板內存電壓分了好幾段,電壓調節范圍從1.60V~2.70V,每相鄰的兩項之間的差值為0.1V,我們使用鍵盤上的向上鍵增加電壓,每按一次增加0.1V電壓(如圖17)。需要注意的是,超頻時不要一次將內存電壓提升太高,首先提升0.1V電壓,然後保存退出,進入WINDOWS系統對內存進行性能測試,如果很穩定,可以重新進入BIOS中再次將內存電壓提升0.1V,依次類推,直到自己滿意為止。

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