手机测闪存的软件

㈠ 华为手机怎么测试闪存

手机直接是无法测试的，得用专业的工具测试手机闪存的读写速度从而判断手机闪存的型号，一般推荐AndroBench这款软件。
1，测试方法比较简单，下载AndroBench这款软件，打开软件后点击Run All Benchmarks，然后Yes，等待一段时间，再点击Submit，即可查看写入与读取成绩。
2，一般来说，eMMC5.1大概在达到200MB/S左右，而UFS2.0则是500MB/S左右，UFS2.1实际速度在700MB/S左右。根据这个数据对比一下刚才的测试结果，闪存类型就很明显的能分辨了。

㈡ 手机怎么测闪存速度

手机测闪存速度的设置，首先打开手机的安全应用软件，然后找到测试内存速度的选项，点击打开这个选项，这样就可以对当前使用的内存进行测试

㈢ 华为p10用什么软件测试闪存

1、内存检测的话普遍都在使用androbench这个软件。
2、华为市场已下架该软件，需第三方下载。
3、使用测试后看速度，300以下的就是emmc5.1、700以下的是usf2.0、以上的就是usf2.1，还是比较简单好用的。

㈣ 有什么手机软件可以测试手机内存卡读写速度的

一：下载软件AndroBench 5.0运行，点击Run All Benchmarks按钮测试。
二：下载软件终端模拟器运行，在窗口中输入ls /proc/fs/*命令，在输入法界面中，点击回车按钮，输出信息中，在/proc/fs/f2fs下面，如果是以sd开头，就是UFS闪存，如果是以mmcblk开头，就是EMMC闪存
低档EMMC5.1读写速度为300MB/s
中档UFS2.0读写速度为600MB/s
高档UFS2.1读写速度为800MB/s!
另外，使用AndroBench测试闪存读写速度的时候，为了避免干扰因素。建议大家关闭网络，清空后台，然后重启下手机再测。另外，也可多测试几次，取平均值。
在速度上UFS 2.1>UFS 2.0>eMMC 5.1。目前来看，UFS闪存在速度上大幅领先eMMC，后者就像是上一个时代的产物。不论是数据传输技术，还是工作模式，UFS都全面领先于eMMC。

㈤ 华为手机怎么测试闪存

测试华为手机闪存的方法是：下载安装测试软件（以Andro Bench为例）——点击进行测试——查看测试数据即可。

㈥ 手机SD卡用什么软件测试读写速度

可以使用MyDiskTest软件，这个软件不仅可以检测内存卡的真伪还能检测内存卡的读写速度。这个软件挺不错的。MyDiskTest是一款集5大功能于一身的U盘扩容检测工具，有扩容检测、坏块扫描、速度测试、老化测试、坏块屏蔽的功能。它还是一款U盘/SD卡/CF卡等移动存储产品扩容识别工具，可以方便的检测出存储产品是否经过扩充容量，以次充好。也能检测FLASH闪存是否有坏块，是否采用黑片，不破坏磁盘原有数据，并可以测试U盘的读取和写入速度。是你挑选U盘和存储卡必备的工具。
检测方法：
1、下载MyDiskTest软件。
2、插入刚买的内存卡。
3、打开MyDiskTest软件。
4、选择要测试内存卡。
5、选择读写速度测试。
6、点击开始测试。

㈦ 华为p10plus闪存怎么测试

可以使用“AndroBench”软件进行闪存测试。

2、此测试方法不局限于华为P10plus，对于所有安卓手机通用。

3、为了测试的准确性，建议重启后重复测试。

㈧ iphone测试闪存软件

首先，你得iPhone需要越狱，
●需要准备的工具：
1、已越狱的iPhone 6或iPhone 6 Plus，且安装了Cydia，不越狱暂时无法查询;
2、Windows系统请下载 iFunbox电脑端工具 ，Mac系统请使用自带命令行工具(终端)。
●详细检测步骤：
1、在已越狱的iPhone 6/6 Plus上，进入Cydia搜索安装OpenSSH、IOKit Tools两个插件，前者用于在电脑上控制iPhone，后者是iPhone的闪存类型检测工具;
安装IOKit Tools和OpenSSH插件
2、请确保在此之前已经安装 iTunes ，内含连接iPhone的必要驱动，然后将iPhone连接至电脑;
3、打开iFunbox工具，直接运行iFunbox. exe文件 ，如有杀毒文件阻止请放行;
iFunbox快捷工具箱
4、在“快捷工具箱”选项中，点击SSH终端，首次打开会要求更改默认密码，此时可选择先不更改;
5、输入【ioreg -lw0|grep "Device Characteristics"】命令符，按回车确认，命令符不含中括号;
输入命令符
6、得出闪存类型检测报告，其中capacity字段对应闪存容量，"default-bits-per-cell"=3表示是TLC闪存，"default-bits-per-cell"=2表示是MLC闪存，此外还有生产商和工艺信息，以本人测试的iPhone 6为例，测试结果表明是东芝生产的16GB MLC闪存。
命令符检测结果
●可能存在问题的芯片
目前已知iPhone 6/6 Plus有三家闪存供应商，以下标记黑体加中括号的为可能存在TLC问题的闪存芯片：
Hynix：16GB、64GB
Toshiba：16GB、64GB(部分128Gb颗粒的可能也为TLC芯片)、【128GB】
Sandisk：【64GB】、【128GB】
所以，搭载Toshiba或者Sandisk生产的64GB和128GB iPhone 6/6 Plus最有可能存在NAND闪存问题，而Hynix(16GB、64GB)和Toshiba(16GB、部分64GB)闪存则不存在此问题。目前为止，苹果官方暂时还没有相关表态和动作。
SLC、MLC、TLC闪存区别
SLC：默认1个存储器储存单元存放1位元，速度快寿命长，价格超贵(约MLC 3倍以上的价格)，约10万次擦写寿命
MLC：默认1个存储器储存单元存放2位元，速度一般寿命一般，价格一般，约3000——10000次擦写寿命
TLC：默认1个存储器储存单元存放3位元，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次